あるかも通信vol6

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• 株式会社ノアテック
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• 第4世代 SiC MOSFETのPLECSモデルを全製品で提供開始
• ロームの最新世代のSiC MOSFETのPLECSモデルを全製品でラインアップ完了しました。
• パワエレ用シミュレータPLECSを使用することで簡単に損失、温度上昇のシミュレーションをすることができます。
• 第4世代 SiC MOSFET (全18機種。以下は一部)
• ロームの最新世代のSiC MOSFETのPLECSモデルを全製品でラインアップ完了しました。
• パワエレ用シミュレータPLECSを使用することで簡単に損失、温度上昇のシミュレーションをすることができます。
• ロームが2020年に開発を完了した最新の第4世代SiC MOSFETは、短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現したデバ
• イスであり、現在ベアチップに加えて、ディスクリートパッケージでの製品を展開しています。車載インバータや各種スイッチング電源をはじめ
• 様々なアプリケーションの劇的な小型化や低消費電力化に貢献します。
• SCT4045DE
• 750V 45mΩ,TO-247N,
• SCT4018KR
• 1200V 18mΩ,TO-247-4L,
• SCT4013DW7
• 750V 13mΩ,TO-263-7L,
• 第4世代SiC MOSFET
• 第4世代SiC MOSFET では、ローム独自のダブルトレンチ構造をさらに進化させることにより、トラクションインバータなどで要求される短絡耐量時間を改善
• し、従来品に比べてオン抵抗を約40%低減することに成功。SiC MOSFETとして業界トップクラスの低オン抵抗を実現しています。（2022年2月ローム調べ)
• ❶短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現
• ゲートドレイン間容量（Cgd）を大幅に削減したことで、従来品に比べてスイッチング損失を約50%低減することに成功しています。
• ❷寄生容量を大幅に削減したことにより、低スイッチング損失を実現
• MOSFET では、デバイスをON する際にトランジスタのゲートに一定量の電圧を印加する必要があります。
• 第4世代SiC MOSFET では、第3世代SiC MOSFET までのゲート－ソース間電圧（Vgs）18V に加え、より扱いやすい15V にも対応しており、アプリケーション
• の設計しやすさを向上しています。
• ❸ゲート－ソース間電圧15V 対応で、アプリケーションの設計しやすさを向上
• 特　長
• 電子デバイス産業新聞から抜粋／2～3月
• ＳｉC（シリコンカーバイト：炭化シリコン）
• SiC（シリコンカーバイド）はシリコン (Si) と炭素 (C) で構
• 成される化合物半導体材料です。
• 絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍
• と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型、n型の制
• 御が広い範囲で可能です。また既存のＳｉ（シリコン）パワー・
• デバイスの代わりに、インバータやＤＣ／ＤＣコンバータなど
• の電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小
• 型化などを実現でき、研究者や開発者の間では「省エネや
• CO2削減の切り札」と期待されています。
• SiCには様々なポリタイプ　（結晶多系）が存在し、それぞ
• れ物性値が異なります。パワーデバイス向けには4H-SiCが
• 最適とされています。
• 知っておきたいアナログ用語

ルネサス１～3月期

• ＰＣ・モバイルなどで調整
• ルネサスエレクトロニクスが発表した2023年第１四半期（１～3月期の業績予想は売上高が前四半期比９％減の３５５０億円を見込む。為替
• 影響を除くと実質的な増減率は3％減となる見通し。
• 売上高は実質３％減
• 23年半導体設備投資
• メモリー大幅減、ロジック下支え
• アプリケーション別ではメモリーが前年比３７％減と大きく落ち込む一方ロジック/ファンドリーは同１３％にとどまっており市場全体の５６％を
• 占めるかたちとなっている。
• 2割減の1290億ドル規模
• 中国の産業用ロボット
• 自動車や電池工場で拡大
• 中国では47.8万台（前年比31％増）の産業ロボットが2022年に生産された。新エネルギー車やリチウムイオン電池、太陽電池などの分野で多く
• の工場が稼働し多数の自動化ラインが導入されたことが産業ロボットの需要拡大に繋がった。
• 22年の生産は31％増
• ＦＣＢＧＡ基板
• パソコン・ＤＣ調整が直撃
• ＦＣＢＧＡ基板各社の業績拡大にブレーキがかかり始めている。マクロ環境の悪化に伴い、主戦場であるパソコンおよびデータセンター（ＤＣ）
• 分野で大幅な在庫調整が入り各社ともに2023年１～3月期以降の業績は低調に推移する見通し。